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      華旭傳動設備 2021-06-15 1019次

      工業氣體在 標準《常用危險化學品的分類及標志》(GB13690-1992)中,通常被劃為第2類壓縮氣體和液化氣體。 這類化學品系指壓縮、液化或加壓溶解的氣體。氣體經加壓或降低溫度,可以使氣體分子間的距離大大縮小而被壓入鋼瓶中,這種氣體稱為壓縮氣體(亦稱為 氣體, 如氧氣、氮氣、氬氣、氫氣等)。對壓縮氣體繼續加壓, 適當降溫,壓縮氣體就會變成液體的,稱為液化氣體(如液氯、 液氨、液體二氧化碳等)。此外,還有一種性質極為不穩定的氣體,加壓后需溶于溶劑中儲存在鋼瓶內,這種氣體稱為溶解氣體(如溶解乙炔等)


        具體來說工業氣體可分為以下14種:


        4. 外延氣體(Cpitaxial gases) :在仔細選擇的襯底上采用化學氣相淀積(CVD) 的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。


        5. 蝕刻氣體(Etching gases) :蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來, 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強、工藝控制 、方便、無脫膠現象、無基片損傷和沾污, 所以其應用范圍日益廣泛。


        6. 摻雜氣體(Dopant Gases):在半導體器件和集成電路制造中, 將某種或某些雜質摻入半導體材料內, 以使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率, 用來制造PN結、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣) 在源柜中混合, 混合后氣流連續流入擴散爐內環繞晶片四周, 在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。


        7. 熏蒸氣體(Sterilizing Gases) :具有殺菌作用的氣體稱熏蒸氣體。常用的氣體品種有環氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內維持生命不可缺少的物質惰化。 *經常使用的是以不同比例配制的環氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據用途不同, 環氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用環氧乙烷和氟利昂12的混合氣,環氧乙烷與氟利昂11和氟利昂12的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時間和壓力等因素有關。熏蒸氣體可以用于衛生材料、醫療器具、化妝品原料、動物飼料、糧食、紙鈔、香辣


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